极限真空：优于5x10^-8 Torr

可容纳8个2英寸共焦溅射原位偏转靶源，3个2英寸中心法兰溅射靶

超薄薄膜沉积、沉积速率可控制

沉积均匀性:优于±1.5% @ 4" (100mm)基片

样品台: 加热850℃、旋转0-40RPM、RF/DC 偏压

RF、DC、Pulsed DC和HiPIMS 等电源

可集成4 路 MFC 气路 (Ar、O₂、N₂、H₂ 等.)

半自动控制或LabVIEW 计算机控制

Load-Lock/ 预真空室

HV 或UHV (e-10^-7 to e-10^-10 Torr)

镀膜材料：金属、介质、陶瓷、超导、透明导电氧化物、磁性材料、有机材料、压电材料等