AJA磁控溅射
发布日期 :2022-01-11 浏览次数: 1788
极限真空:优于5x10-8 Torr
可容纳8个2英寸共焦溅射原位偏转靶源,3个2英寸中心法兰溅射靶
超薄薄膜沉积、沉积速率可控制
沉积均匀性:优于±1.5% @ 4" (100mm)基片
样品台: 加热850℃、旋转0-40RPM、RF/DC 偏压
RF、DC、Pulsed DC和HiPIMS 等电源
可集成4 路 MFC 气路 (Ar、O2、N2、H2 等.)
半自动控制或LabVIEW 计算机控制
Load-Lock/ 预真空室
HV 或UHV (e-10-7 to e-10-10 Torr)
镀膜材料:金属、介质、陶瓷、超导、透明导电氧化物、磁性材料、有机材料、压电材料等
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